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MLS65R580D
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- MLS65R580D是采用先进超结技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗，提升开关性能。这款晶体管适用于开关电源（SMPs）、高速开关及通用应用领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MLS65R580D
- 商品编号
- C19272226
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47904克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 410.8pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF@25V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个2500个/圆盘
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