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MDT15P04D
1个P沟道 耐压:40V 电流:15A
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- 描述
- MDT15P04D采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT15P04D
- 商品编号
- C19272218
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
MLS60R380D是采用先进的超级结技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗，提升开关性能。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- VDS = -40 V,ID = -15 A
- 在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 35 mΩ;在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 45 mΩ
- 高密度单元设计,降低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS,稳定性和一致性好
- 采用优秀封装,散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路、不间断电源