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MDT20P04D
1个P沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- MDT20P04D采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT20P04D
- 商品编号
- C19272219
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43892克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |