SIC660CD-T1-GE3

SiC660是一款高频集成功率级，针对同步降压应用进行了优化，可提供大电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。该器件采用Vishay的5 mm x 5 mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达60 A的连续电流。 内部功率MOSFET采用了Vishay最新的TrenchFET技术，提供业界标杆性能，显著降低开关和传导损耗。 SiC660集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有大电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成自举开关以及用户可选的零电流检测功能，以提高轻载效率。该驱动器还与多种PWM控制器兼容，支持三态PWM以及5 V和3.3 V PWM逻辑。 该器件还支持PS4模式，以降低系统处于待机状态时的功耗。 SiC660提供工作温度监测、保护功能和警告标志，可提升系统监测能力和可靠性。

• 高效：热增强型PowerPAK MLP55-31 L封装；Vishay最新的TrenchFET技术，低侧MOSFET集成肖特基二极管；集成低阻抗自举开关；针对12V输入级优化的功率MOSFET；支持PS4模式轻载要求，关断电源电流低（5A、3A）；零电流检测，提高轻载效率
• 高度通用：支持三态和关断定时器的5 V和3.3 V PWM逻辑；支持PS4状态的5 V DSBL#、ZCD_EN#逻辑；高达2 MHz的高频运行
• 坚固可靠：可提供超过60 A的连续电流、70 A的峰值电流（10 ms）和100 A的峰值电流（10 μs）；过流保护；过温标志；过温保护；欠压锁定保护；高侧MOSFET短路检测
• 有效监测和报告：精确的温度报告；警告和故障报告标志

• 用于计算、显卡和内存的多相VRD
• 英特尔酷睿处理器电源供应 - VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT - VCCGI
• 高达16V轨输入的DC/DC VR模块