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PHP79NQ08LT-VB
1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PHP79NQ08LT-VB
- 商品编号
- C19190113
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.855nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 376pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.12nF |
商品概述
IRFB3607采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 80 V，ID = 90 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 10 mΩ
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
- 采用高密度单元设计，降低Rdson
- 具备全面表征的雪崩电压和电流
- 具有高EAS，稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装，散热性能好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源