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IRFR3710ZTRLPBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFR3710ZTRLPBF-VB
- 商品编号
- C19190116
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.5mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 136.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
SOT-23 塑封封装的 N 沟道 MOS 场效应管。N-沟道 MOSFET，采用 SOT-23 塑封封装。
商品特性
- 漏源电压（V） = 30V
- 漏极电流 = 5.8A（栅源电压 = 10V）
- 导通电阻 < 28mΩ（栅源电压 = 10V）
- 导通电阻 < 33mΩ（栅源电压 = 4.5V）
- 导通电阻 < 52mΩ（栅源电压 = 2.5V）
- 无卤产品。
应用领域
- 适用于负载开关或脉宽调制应用。-该器件适用于作为负载开关或用于脉宽调制应用。