温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPB530N15N3G-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:45A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电动车电机控制器、太阳能光伏逆变器、工业自动化设备等领域。TO263；N—Channel沟道,150V；45A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=4~6V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPB530N15N3G-VB
- 商品编号
- C19190115
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 8.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
TO-252塑封封装的P沟道MOS场效应管。
商品特性
- VDS(V) = -100 V，ID = -18 A
- RDS(ON) @ -10V < 90mΩ（典型值80mΩ）
- RDS(ON) @ -4.5 V < 100 mΩ（典型值90mΩ）
- 无卤产品。
应用领域
- 工业级DC/DC转换器的电源管理