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MGSF1N03LT3G-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- MGSF1N03LT3G-VB
- 商品编号
- C19190102
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.019克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V；33mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
IRFB4110采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 180 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 6 mΩ
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
- 高密度单元设计，降低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用优质封装，散热性能出色
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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