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AM4910N-T1-PF-VB
N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N通道功率场效应管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电机驱动、电流检测和调节以及逆变器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8.5A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AM4910N-T1-PF-VB
- 商品编号
- C19190098
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V；20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 86pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
IRFB4310采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 笔记本电脑系统电源
- 低电流直流-直流(DC/DC)转换器
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