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K3148-VB
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F；N—Channel沟道,100V；50A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- K3148-VB
- 商品编号
- C19190101
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.795克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 360W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品概述
UTC 11NM70 是一款超结 MOSFET 结构器件，旨在具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于电力应用的 AC-DC 转换器。
商品特性
- 在 VGS = 10V、ID = 5.5A 时，RDS(ON) ≤ 0.58 Ω
- 采用超结结构
- 快速开关
- 经过 100% 雪崩测试
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