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2302M

N沟道TrenchPower MOSFET

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描述: VDS 20V-ID 3.0A-RDS(ON)(at VGS = 4.5V) < 64 mΩ-RDS(ON)(at VGS = 2.5V) < 86 mΩ。Trench Power LV MOSFET technology-High Power and current handling capability
品牌名称: FM(富满)
商品型号: 2302M
商品编号: C19190096
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.040833克(g)

商品参数

商品概述

绝对最大额定值（除非另有说明，TA = 25℃）电气特性（除非另有说明，TJ = 25℃） A. 脉冲测试：脉冲宽度 ≤ 300微秒，占空比 ≤ 2%。 B. 器件安装在FR - 4印刷电路板上，尺寸为1英寸×0.85英寸×0.062英寸。典型性能特性图1. 输出特性图3. 电容特性图5. 漏源导通电阻图2. 传输特性图4. 栅极电荷图6. 漏源导通电阻图7. 安全工作区图8. 开关波形封装信息：SOT23 - 3（小）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	3A
	导通电阻(RDS(on))	86mΩ@2.5V
	耗散功率(Pd)	690mW
	阈值电压(Vgs(th))	1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	3.3nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	192pF
	反向传输电容(Crss)	26pF
	工作温度	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	23pF