温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
BSC265N10LSF G-VB
1个N沟道 耐压:100V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于多种高性能功率电子应用。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；30A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
BSC265N10LSF G-VB商品编号
C19188103商品封装
QFN-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
1+￥6.3
10+￥6.17
30+￥6.09
100+￥6￥30000
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
20
购买数量(5000个/圆盘，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个5000个/圆盘
近期成交1单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
