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NVD6416ANT4G-VB
1个N沟道 耐压:100V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率管理应用，包括电源逆变器、LED照明驱动和工业控制等，具有广泛的应用前景TO252；N—Channel沟道,100V；25A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
NVD6416ANT4G-VB商品编号
C19188114商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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