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TJ8S06M3L-VB实物图
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TJ8S06M3L-VB

1个P沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
TJ8S06M3L-VB
商品编号
C19188120
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.412克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))61mΩ@10V；72mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)1nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)120pF

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