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SI7617DN-VB

1个P沟道 耐压:30V 电流:45A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。适用于多种电路应用，能够提供可靠的功率控制和保护。DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.8V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI7617DN-VB
商品编号
C19188122
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.195克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)31.25W
阈值电压(Vgs(th))2.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)2nF
反向传输电容(Crss)322pF
工作温度-50℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)385pF

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