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PSMN015-100P-VB
1个N沟道 耐压:100V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO220；N—Channel沟道,100V；55A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
PSMN015-100P-VB商品编号
C19188140商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
3.805克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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