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2SK1473-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:4.2A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款一款单通道N沟道场效应管,采用Trench技术,用于低功耗电子设备、医疗器械、LED照明控制、智能家居等多种领域和模块。SOT89-3;N—Channel沟道,100V;4.2A;RDS(ON)=102mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~3V;
商品型号
2SK1473-VB
商品编号
C19188155
商品封装
SOT-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.115克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)4.2A
导通电阻(RDS(on))125mΩ@4.5V,1A
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.9nC@4.5V
输入电容(Ciss)196pF
反向传输电容(Crss)14pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)67pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 8.5

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