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2SK3147L-VB
1个N沟道 耐压:100V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于汽车电子、工业控制、电源转换器、家用电器等多种领域和模块。TO251；N—Channel沟道,100V；12A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2SK3147L-VB商品编号
C19188153商品封装
TO-251包装方式
管装
商品毛重
2.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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