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IRL3714ZPBF-VB
1个N沟道 耐压:30V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源模块、电机驱动器、照明控制模块等领域，可用于开关电源、电动汽车、LED照明系统等模块中的功率开关和控制器，以实现高效能量转换和稳定性能输出。TO220；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRL3714ZPBF-VB商品编号
C19188139商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.738克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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