IRL3714ZPBF-VB
1个N沟道 耐压:30V
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源模块、电机驱动器、照明控制模块等领域,可用于开关电源、电动汽车、LED照明系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。TO220;N—Channel沟道,30V;80A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRL3714ZPBF-VB商品编号
C19188139商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.738克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
连续漏极电流(Id) | - | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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