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IRL3714ZPBF-VB

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:30V

  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;是一款单N型MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于电源模块、电机驱动器、照明控制模块等领域,可用于开关电源、电动汽车、LED照明系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。TO220;N—Channel沟道,30V;80A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    IRL3714ZPBF-VB
  • 商品编号

    C19188139
  • 商品封装

    TO-220
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    2.738克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
属性参数值
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-

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