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12P10L-TM3-T-VB
1个P沟道 耐压:100V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench技术，适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电路保护、电动工具、LED驱动和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。TO251；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=215mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
12P10L-TM3-T-VB商品编号
C19188131商品封装
TO-251包装方式
管装
商品毛重
2.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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