温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI9928DY-T1-E3-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI9928DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C19188118
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
相似推荐
其他推荐
- SUP90P06-09L-E3-VB
- TJ8S06M3L-VB
- SUD10P06-280L-E3-VB
- SI7617DN-VB
- MT4407-VB
- AOD474A-VB
- STP60NF06L-VB
- HUF76409D3ST-VB
- STP100NF03L-03-VB
- 30NF20 TO220-VB
- AM40N08-30D-T1-PF-VB
- FDS86240-VB
- 12P10L-TM3-T-VB
- AUIRLR3705ZTRPBF-VB
- BUK454-800B-VB
- BUK7275-100A-VB
- DMN6040SSS-VB
- DMP3037LSS-13-F-VB
- FDD1600N10ALZD-VB
- IPS075N03L G-VB
- IRL3714ZPBF-VB