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SUP90P06-09L-E3-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SUP90P06-09L-E3-VB

1个P沟道 耐压:60V 电流:90A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET，采用Trench技术，适用于电动工具、LED照明和电源逆变器等多个领域和模块。TO220；P—Channel沟道,-60V；-90A；RDS(ON)=7.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SUP90P06-09L-E3-VB
商品编号
C19188119
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
3.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))7.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)214W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)160nC@10V
输入电容(Ciss)9.2nF
反向传输电容(Crss)760pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)975pF

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