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IRLIZ44NPBF-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:45A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，具有高压、高电流的特点，适用于多种功率电路设计。TO220F；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=27mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLIZ44NPBF-VB
商品编号
C19188115
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.452克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))27mΩ@10V,18A
耗散功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)95nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)720pF

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