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SUD45P03-10-E3-VB实物图
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SUD45P03-10-E3-VB

1个P沟道 耐压:30V 电流:60A

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P型MOSFET器件,采用Trench工艺制造,适用于各种电源管理应用场景。TO252;P—Channel沟道,-30V;-60A;RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
商品型号
SUD45P03-10-E3-VB
商品编号
C19188113
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)127W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)240nC@10V
输入电容(Ciss)3.3nF
反向传输电容(Crss)715pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)1.565nF

数据手册PDF

交货周期

订货9-11个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

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