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SI7852DP-T1-GE3-VB实物图
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SI7852DP-T1-GE3-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:30A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于多种高性能功率电子应用。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；30A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI7852DP-T1-GE3-VB
商品编号
C19188108
商品封装
DFN5x6-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))17mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)1.47nF
反向传输电容(Crss)11.2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)132pF

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