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NDT452AP(UMW)
P沟道 耐压:30V 电流:5A
- 描述
- MOS（场效应管）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- NDT452AP(UMW)
- 商品编号
- C19100578
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23924克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V；85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
采用SOT-223封装的P沟道增强型功率场效应晶体管，经过特别优化以最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。
商品特性
- V_DS = -30V
- I_D = -5A
- R_DS(ON) < 65mΩ (V_GS = -10V)
- R_DS(ON) < 100mΩ (V_GS = -4.5V)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力。
- 采用高密度元胞设计，实现极低的R_DS(ON)。
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