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AOD510(UMW)
耐压:30V 电流:70A
- 描述
- MOS（场效应管）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AOD510(UMW)
- 商品编号
- C19100587
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4708克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.719nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 169pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.204nF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺，具备坚固的栅极结构。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 25V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V
- 漏极电流（ID） = -5.3 A（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 50 mΩ（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 80 mΩ（栅源电压VGS = -4.5 V）
- 高功率和高电流处理能力
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 快速开关速度
- 低栅极电荷