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IRLB3034(UMW)
N沟道 耐压:40V 电流:195A
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- 描述
- MOS（场效应管）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRLB3034(UMW)
- 商品编号
- C19100597
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8926克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 195A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 935pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.98nF |
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V
- 漏极电流ID = 195A
- 栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(on) < 1.7mΩ
- 栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(on) < 2mΩ
- 针对逻辑电平驱动优化
- 在4.5V VGS下具有极低的RDS(on)
- 在4.5V VGS下具有优异的R×Q性能
- 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性
- 完全表征的电容和雪崩安全工作区
- 增强的体二极管dV/dt和di/dt能力
- 无铅
- SN74LV1T08DCKR(UMW)
- SN74LV1T08DBVR(UMW)
- 149EC920
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- W40308
- 1205POC-682MRC
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