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AOD413A(UMW)
P沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- MOS（场效应管）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AOD413A(UMW)
- 商品编号
- C19100585
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45276克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V；52mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V；7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 97pF |
商品概述
AOD413A采用先进技术和设计，提供优异的Rds(on)和低栅极电荷。凭借DPAK封装出色的热阻特性，该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- Vds = -40V
- Id = -12A (Vgs = 10V)
- Rds(on) < 40mΩ (Vgs = -10V)
- Rds(on) < 50mΩ (Vgs = -4.5V)