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FDP8860(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 描述
- MOS（场效应管）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDP8860(UMW)
- 商品编号
- C19100586
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 254W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 222nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.59nF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.26nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提升采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- VDS = 30V
- ID = 80A
- RDS(ON) < 2.5mΩ (VGS = 10V)
- RDS(ON) < 2.9mΩ (VGS = 4.5V)
- 具备UIL能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合RoHS标准
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管