- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS7779Z(UMW)
P沟道 耐压:30V 电流:16A
- 描述
- MOS（场效应管）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDS7779Z(UMW)
- 商品编号
- C19100580
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.193333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 490pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 980pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品概述
这款P沟道MOSFET专为提升采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器以及电池充电器的整体效率而设计。
商品特性
- V_DS = -30 V
- I_D = -16 A
- R_DS(ON) < 7.2 mΩ (V_GS = -10 V)
- R_DS(ON) < 11.5 mΩ (V_GS = -4.5 V)
- ESD保护二极管
- 高功率和电流处理能力
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的R_DS(ON)