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AOD417(UMW)
耐压:30V 电流:25A
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- 描述
- MOS（场效应管）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AOD417(UMW)
- 商品编号
- C19100583
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
AOD417采用先进技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻，该器件非常适合高电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS(V)） = -30V
- 漏极电流（ID） = -25A（栅源电压（VGS） = -10V）
- 导通电阻（RDS(ON)） < 25mΩ（栅源电压（VGS） = -10V）
- 导通电阻（RDS(ON)） < 30mΩ（栅源电压（VGS） = -4.5V）
- 符合RoHS标准
- 无卤