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FDS9435A(UMW)
P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- MOS（场效应管）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDS9435A(UMW)
- 商品编号
- C19100573
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1902克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V；65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 528pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品概述
该P沟道MOSFET采用坚固栅极版本的先进PowerTrench工艺制造，专为需要宽范围栅极驱动电压（4.5V ~ 25V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- V_DS(V) = -30V
- I_D = -5.3A
- R_DS(ON) < 50mΩ (V_GS = -10V)
- R_DS(ON) < 80mΩ (V_GS = -4.5V)
- 高功率和电流处理能力
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的R_DS(ON)
- 快速开关速度
- 低栅极电荷