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FDS8949(UMW)
2个N沟道 耐压:40V 电流:6A
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- 描述
- MOS（场效应管）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDS8949(UMW)
- 商品编号
- C19100571
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V；26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |