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CRJT99N65G2
SJMOS N沟道MOSFET，650V、81mΩ、35A
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- 描述
- 特性：CRM(CQ)超结技术。 极低的导通电阻与面积乘积（Ron*A），提高导通效率。 极低的品质因数（FOM），提高快速开关效率。应用：LED/LCD/PDP电视和显示器照明。 太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CRJT99N65G2
- 商品编号
- C18905994
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 81mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 252W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 133pF |
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