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CS18N20A8R
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- CS18N20 A8R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220AB，符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CS18N20A8R
- 商品编号
- C18906009
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.4nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.136nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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