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FTD150N10N
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：RoHS合规。 低导通电阻。 低栅极电荷。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 电感开关曲线。应用：适配器。 充电器
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- FTD150N10N
- 商品编号
- C18906005
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48812克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 43.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 557pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34.7pF |
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