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F601D-G
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 特性：N沟道ESD能力增强。 耗尽模式。 dv/dt额定。 无铅引脚电镀。 符合ROHS标准。 无卤素
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- F601D-G
- 商品编号
- C18906007
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@8.0uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 15.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.7pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
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