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CSD13202Q2
1个N沟道 耐压:12V 电流:22A
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- 描述
- CSD13202Q2 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD13202Q2
- 商品编号
- C187839
- 商品封装
- SON-8(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 997pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 657pF |
商品概述
此 12V、7.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该 SON 2×2 封装尺寸可提供出色的热性能。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm×2mm 塑料封装
应用领域
- 针对负载开关应用进行了优化
- 存储、平板电脑和手持设备
- 优化后可适用于控制场效应晶体管 (FET) 应用
- 负载点同步降压转换器