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CSD75207W15
2个P沟道 耐压:20V 电流:3.9A
- 描述
- CSD75207W15 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的双通道共源极、27mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD75207W15
- 商品编号
- C201968
- 商品封装
- DSBGA-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 162mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 595pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 293pF |
商品概述
CSD75207W15 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
商品特性
- 双路P 通道MOSFET
- 共源配置
- 小型封装尺寸 1.5mm×1.5mm
- 栅极 - 源电压钳位
- 栅极静电放电(ESD) 保护大于4kV
- 人体模型(HBM) JEDEC 标准JESD22 - A114
- 无铅且无卤素
- 符合RoHS 环保标准
应用领域
- 电池管理
- 电池保护
- 负载和输入开关
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 100 个)个
起订量：100 个1个/圆盘
总价金额：
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