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NCE2030K
1个N沟道 耐压:20V 电流:30A
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- 描述
- N 沟道，20V，30A，<13mΩ@Vgs=10V
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE2030K
- 商品编号
- C187865
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.547克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 162pF |
商品概述
这款单P沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化栅源电压为 -2.5 V 时的漏源导通电阻。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 30A
- R D S (ON) < 13mΩ(V G S = 10V 时,典型值:10.5mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下稳定性和一致性良好
- 出色的封装,散热性能佳
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
- 电源开关应用
- 负载开关
- 不间断电源