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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE2060K

1个N沟道 耐压:20V 电流:60A

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描述
N 沟道,20V,60A,<6mΩ@Vgs=4.5V
商品型号
NCE2060K
商品编号
C187866
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.547克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)27nC@4.5V
输入电容(Ciss)2nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)500pF

商品概述

NCE2060K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 20V,ID = 60A
  • RDS(ON) < 6 mΩ(@ VGS = 4.5 V)
  • 高密度单元设计,实现超低Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高EAS下稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的出色封装

应用领域

  • 负载开关
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF