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CSD16411Q3
1个N沟道 耐压:25V 电流:14A
- 描述
- CSD16411Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、15mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16411Q3
- 商品编号
- C201964
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款25V、8mΩ、3.3mm × 3.3mm SON功率MOSFET专为最大限度降低电源转换应用中的损耗而设计。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定
- 无铅端子电镀
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- SON 3.3mm × 3.3mm塑料封装
应用领域
- 用于网络、电信和计算系统应用的负载点同步降压转换器
- 针对控制FET应用进行优化