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NDS8435A(UMW)
P沟道 耐压:30V 电流:7.9A
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- 描述
- SOP-8 P-Channel增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- NDS8435A(UMW)
- 商品编号
- C18214388
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.197067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V；30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 950pF |
商品概述
SOP-8封装P沟道增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS技术制造。这种极高密度的工艺专为最小化导通电阻和提供卓越的开关性能而优化。
商品特性
- 漏源电压V_DS = -30V
- 漏极电流I_D = -7.9A
- 在栅源电压V_GS = -10V时，导通电阻R_DS(ON) < 23mΩ
- 在栅源电压V_GS = -4.5V时，导通电阻R_DS(ON) < 35mΩ
- 采用广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和高电流处理能力。
- 高密度单元设计，实现极低的导通电阻R_DS(ON)。