温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMS4816NR2G(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：VDS(V)=30V。 ID = 11A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 10mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 16mΩ(VGS = 4.5V)。 低电容以最小化驱动损耗。 低RDS(ON)以最小化传导损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- NTMS4816NR2G(UMW)
- 商品编号
- C18214400
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V；12.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA；3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |