- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDS8978(UMW)
2个N沟道 耐压:30V 电流:7.5A
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- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDS8978(UMW)
- 商品编号
- C18214402
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 191pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 专为提升采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器整体效率而设计的N沟道MOSFET。
- 针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行优化。
- VDS = 30V。
- ID = 7.5A。
- RDS(ON) < 18 mΩ (VGS = 10V)。
- RDS(ON) < 21 mΩ (VGS = 4.5V)。
- 低栅极电荷。
- 采用高性能沟槽技术，实现极低RDS(ON)。
- 高功率和电流处理能力。