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FDS6612A(UMW)
耐压:30V 电流:8.4A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=30V。 ID = 8.4A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 22mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 30mΩ (VGS = 4.5V)。 快速开关速度。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDS6612A(UMW)
- 商品编号
- C18214410
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.198克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
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