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FDD8796(UMW)
N沟道 耐压:25V 电流:35A
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- 描述
- 特性：专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 针对低栅极电荷、低导通电阻RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。 低栅极电阻。 低栅极电荷：Qg(10) = 37nC（典型值），VGS = 10V。应用：台式计算机和服务器的Vcore DC-DC。 中间总线架构的VRM
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDD8796(UMW)
- 商品编号
- C18214403
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48952克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V；6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 455pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提升采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。其优化重点在于低栅极电荷、低R_DS(ON)和快速开关速度。
商品特性
- 漏源电压V_DS = 25V
- 漏极电流I_D = 35A
- 栅源电压V_GS = 10V时，导通电阻R_DS(ON) < 5.7mΩ
- 栅源电压V_GS = 4.5V时，导通电阻R_DS(ON) < 8mΩ
- 低栅极电阻
- 低栅极电荷：典型值Q_g(10) = 37nC (V_GS = 10V)
应用领域
- 台式电脑和服务器的核心电压DC-DC转换
- 中间总线架构的电压调节模块