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FDD6680AS(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 描述
- 设计用于在同步 DC:DC 电源中替代单个 MOSFET 和肖特基二极管。这款 30V MOSFET 旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。作为同步整流器中的低端开关，其性能与并联肖特基二极管的产品性能无差异。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDD6680AS(UMW)
- 商品编号
- C18214408
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48888克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
FDD6680AS旨在替代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大化功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。在同步整流器中作为低侧开关时，FDD6680AS的性能与FDD6680A并联一个肖特基二极管的性能无异。
商品特性
- VDS = 30V
- ID = 55A
- RDS(ON) < 10.5mΩ (VGS = 5V)
- RDS(ON) < 13mΩ (VGS = 4.5V)
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值21nC）
- 采用高性能沟槽技术，实现极低RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力