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FQD19N10LTM(UMW)
N沟道 耐压:100V 电流:15.6A
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- 描述
- 特性：采用专有平面条纹和 DMOS 技术生产。 VDS(V) = 100V。 ID = 15.6A(VGS = 10V)。 RDS(Ou)< 100mΩ (VGS = 10V)。 RDS(Ou)< 110mΩ (VGS = 5V)。 低栅极电荷（典型值 14 nC）。 低 Crss（典型值 35 pF）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FQD19N10LTM(UMW)
- 商品编号
- C18214391
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.451912克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有的平面条状和DMOS技术制造。这项先进的MOSFET技术经过特别优化，旨在降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。
商品特性
- VDS(V) = 100V
- ID = 15.6A
- RDS(ON) < 100mΩ (VGS = 10V)
- RDS(ON) < 110mΩ (VGS = 5V)
- 低栅极电荷（典型值14 nC）
- 低Crss（典型值35 pF）
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